Der Einsatz schneller GaN- und SiC-MOSFETs in leistungselektronischen Applikationen stellt neue Anforderungen an die messtechnische Erfassung des Wirkungsgrades. Der Vortrag zeigt unterschiedliche Frequenzbereiche am Ausgang moderner Frequenzumrichter auf und geht auf die Herausforderungen bei der Leistungsmessung ein. Besonderes Augenmerk liegt auf verschiedenen parasitären Effekten. Anhand praxisnaher Beispiele werden Lösungsansätze zur Minimierung dieser Einflüsse sowie geeignete Messstrategien vorgestellt, um eine präzise und reproduzierbare Wirkungsgradbestimmung zu ermöglichen.